AS2623 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT驅動芯片

AS2623 是一款高壓、高速功率 MOSFET 自振蕩半橋驅動芯片。AS2623 其浮動通道可用于驅動高低側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達 600V。AS2623 內置 1.1μs 死區電路，可以有效防止高低側功率管直通。AS2623 內置自舉電路，可以簡化芯片外圍電路。

特點：

·     最高工作電壓為+600V

·     CT，RT 可編程振蕩器

·     微功率啟動

·     CT 引腳上的非鎖定關斷特性（1/6th VCC）

·     VCC 鉗位電壓為 15.6V

·     集成 VCC 欠壓鎖定電路，正/負欠壓閾值：11V/9V

·     集成 VBS 欠壓鎖定電路，正/負欠壓閾值：9V/8V

·     死區時間 DT = 1.1μs

·     輸出級拉電流/灌電流能力 1.2A/1.5A

·     dV/dt 耐受能力可達±50V/nsec

·     集成自舉

·     寬溫度范圍-40°C ~ 125°C

·     符合 RoSH 標準

·     采用 SOP-8 封裝

應用：

·     電源管理

·     電子照明

·     逆變器

·     電機驅動